同步动态随机存储器时序参数容限测试方法研究  被引量:2

Research on Test Method of SDRAM Timing Parameter Margin

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作  者:南江 孔宪伟 胡海涛[1] 李进 

机构地区:[1]中国电子技术标准化研究院 [2]西安紫光国芯半导体有限公司

出  处:《信息技术与标准化》2021年第11期43-46,61,共5页Information Technology & Standardization

摘  要:对同步动态随机存储器(SDRAM)的时序参数进行了分析,并采用Shmoo测试方法,对某国产DDR2 SDRAM的t RCD、t RAS、t RP、t RC、t CK等时序参数的容限进行了测试。通过与JEDEC标准的对比验证,证明该产品的时序参数满足JEDEC标准的要求,并得到了相关参数的容限,为该类产品的质量评估和可靠应用提供了参考。This article analyzes the timing parameters of SDRAM.The margins of tRCD,tRAS,tRP,tRC and tCK of a domestic DDR2 SDRAM are tested by Shmoo plotting.By comparing with the JEDEC standard,it is proved that the timing parameters of this product meet the requirements of the JEDEC standard,and the margins of these parameters are obtained.A reference for the quality evaluation and reliable application of this type of product is provided.

关 键 词:SDRAM 时序参数 Shmoo 测试 DDR2 

分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]

 

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