检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:杨少波[1] YANG Shaobo(Beijing Institute of Graphic Communication,Beijing 10026,China)
机构地区:[1]北京印刷学院,北京102600
出 处:《北京印刷学院学报》2021年第11期153-155,共3页Journal of Beijing Institute of Graphic Communication
基 金:北京印刷学院校级重点教学改革项目资助。
摘 要:用激光沉积方法制得半掺杂锰氧化合物Pr_(0.5)Ba_(0.1)Sr_(0.4)MnO_(3)外延薄膜,结果显示,只有在沉积温度为740℃时,才能得到真正的外延薄膜。当温度从5K增加到300K时,薄膜依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁—铁磁和铁磁—顺磁两种转变时,样品在较低的磁场(0.2T)作用下,都表现出了较强的庞磁电阻效应。The Pr_(0.5)Ba_(0.1)Sr_(0.4)MnO_(3) epitaxial thin film was prepared by pulsed laser deposition(PLD)technique.The results indicated that only at optimum deposition temperature(740℃)the epitaxial thin film could be formed.Moreover,the film show transitions from antiferromagnetic insulator to ferromagnetic semiconductor,ferromagnetic metal and finally to paramagnetic semiconductor as the temperature is increased from 5K to 300K.Moreover,correspond to the antiferromagnet-ferromagnet transition and the ferromagnet-paramagnet transition,the sample display more obvious magnetoresistance effect in a relative low magnetic field(0.2T).
分 类 号:TB383[一般工业技术—材料科学与工程]
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