全角度高反射率DBR对GaN基蓝光Mini-LED芯片发光性能的提升  

作　　者：徐瑾 

机构地区：[1]三安光电股份有限公司,福建厦门361000

出　　处：《中国新技术新产品》2021年第20期13-15,139,共4页New Technology & New Products of China

摘　　要：该文采用Essential Macleod软件设计了一种在420 nm~480 nm波段且具有全入射角度、高反射率(大于96%)的TiO2/SiO2分布布拉格反射镜(DBR)膜系,并采用这种全角度高反射率DBR膜系作为GaN基蓝光Mini-LED芯片的反射镜。研究结果表明,与对应唯一中心波长的传统结构DBR膜系相比,它具有全角度高反射率DBR膜系的蓝光Mini-LED芯片的I-V特性、光场分布形态且高温老化特性保持不变,在5 mA的工作电流下,输出的光功率和插座效率分别提升了5.6%和5.4%,其原因是全角度高反射率DBR膜系克服了传统结构DBR膜系在大角度入射时反射率下降的缺点。

关 键 词：氮化镓 Mini-LED 分布布拉格反射镜 光输出功率 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]