3D结构低相位噪声移频锁相源设计  

作　　者：张献武[1] 吴佳佳 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《电子元器件与信息技术》2021年第9期63-65,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：采用BGA植球工艺来实现上下基板互联,从而实现三维电路结构。基板采用多层类陶瓷基板,更容易实现多种器件布局以及复杂布线,构建SIP(系统集封装)。这种电路结构与相同功能的传统盒体体积相比体积缩减到7.5%以内,体积大小为20×15×4.8 mm。运用梳谱,CRO及移频锁相技术实现低相位噪声,实际相位噪声测试结果与同频PCRO相同,达到–130.8dBc/Hz@1KHz,–135.5dBc/Hz@10KHz,该电路结构可以广泛用于频率源或其它微波系统小型化设计。

关 键 词：3D 锁相 小型化 CRO 相位噪声 PDRO替代 

分 类 号：TN927[电子电信—通信与信息系统]