TPC COG腐蚀不良防护解决方案研究  

作　　者：许向辉 高石 徐习亮 李森 董殿正 王桂石 

机构地区：[1]北京京东方显示技术有限公司

出　　处：《电子世界》2022年第2期88-89,共2页Electronics World

摘　　要：本文研究了TPC COG IC区域腐蚀原因分析.首先对COG产品进行成分分析,检测本身产品是否有腐蚀元素,其次对产品进行恶化实验,验证腐蚀对于产品的侵入性,通过UV工艺调整,变更为UV胶全涂覆盖IC工艺有效改善腐蚀不良。且UV全涂工艺稳定性良好,厚度管控稳定,可实现量产管控要。求实验结果表明,通过UV胶全涂工艺改善,可显著有效改善防护COG IC Bonding区域腐蚀不良。

关 键 词：工艺稳定性 工艺改善 工艺调整 IC工艺 成分分析 TPC 有效改善 腐蚀 

分 类 号：TG1[金属学及工艺—金属学]