高单轴应力下硅晶体电学性质的第一性原理研究  

作　　者：史文强 张劲松 刘越 

机构地区：[1]齐齐哈尔大学,黑龙江齐齐哈尔161006

出　　处：《长江信息通信》2022年第1期78-80,共3页Changjiang Information & Communications

摘　　要：为分析单轴应力下硅晶体的电学性质,使用第一性原理方法分析了硅晶体在单轴拉伸以及单轴压缩条件下的强度及禁带宽度性质。计算了沿着[110][111][100]三个晶向的单轴压缩和拉伸强度,并在低于破坏强度的应力范围内,使用格林函数方法计算了不同单轴应力下硅晶体的禁带宽度。结果表明,理想晶体硅禁带宽度受单轴应力的影响变化明显,甚至可由单轴应力诱导产生半导体金属性质变化。文章研究结果将对硅技术在传感器等领域的应用提供重要的理论支持。

关 键 词：第一性原理 晶体硅 强度性质 电学性质 

分 类 号：TQ175.4[化学工程—硅酸盐工业]