专利名称:一种生长可控的稀土钕掺杂二硒化钼薄膜材料制备方法  

出　　处：《中国钼业》2022年第1期64-64,共1页China Molybdenum Industry

摘　　要：专利申请号:CN201811121638公开号:CN109182979A申请日:2018.09.26公开日:2019.01.11申请人:中国计量大学本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应,制得钕掺杂二硒化钼的多晶体;接着通过压制及烧结,制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶;将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔,通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶,控制频率、时间、功率等因素,获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。

关 键 词：材料制备方法 脉冲激光轰击 薄膜材料 钕掺杂 控制频率 光电材料 真空腔 二维层状 

分 类 号：TQ136.12-18[化学工程—无机化工] TB383.2-18[一般工业技术—材料科学与工程]