退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响  

作　　者：胡晓亮 朱宾宾 崔慧芹 王倩茹 周锋子 

机构地区：[1]麦斯克电子材料股份有限公司,河南洛阳471003 [2]河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳471000

出　　处：《海峡科技与产业》2022年第1期16-18,共3页Technology and Industry Across the Straits

摘　　要：采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO。利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响。结果表明:退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想。

关 键 词：Li掺杂ZnO纳米晶 退火温度 缺陷调控 紫外光谱特性 

分 类 号：TM23[一般工业技术—材料科学与工程]