ICP-OES检测C_(5)轻烃中硅质量分数的研究  

Research on Determination of Silicon mass Fraction in Light Hydrocarbon by ICP-OES

作　　者：徐大智 陈冬梅[1] 杨帆[1] 吉豪杰 XV Da-zhi;CHEN Dong-mei;YANG Fan;JI Hao-jie(Research Institute of Fushun Petrochemical Company,CNPC,Fushun Liaoning 113001,China)

机构地区：[1]中国石油天然气股份有限公司抚顺石化分公司研究院,辽宁抚顺113001

出　　处：《当代化工》2021年第12期3005-3008,共4页Contemporary Chemical Industry

摘　　要：为了满足生产需求,利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)建立了检测C_(5)轻质烃中硅质量分数的分析方法。通过对样品处理、氧气流量、雾化室温度、RF功率等一系列试验条件摸索,找出了适合C_(5)轻烃中硅质量分数检测的参数设置:RF功率1 250 W,观测方式采用水平或垂直观测,雾化室温度不高于-20℃,推荐选择硅检测波长212.4 nm和288.1 nm,载气流速0.25 L·min^(-1),氧气流速0.016~0.020 L·min^(-1)。并利用该条件,对馏分范围在C_(5)附近的轻烃进行适应性试验,发现优化后的条件同样适用。A method was developed for determining silicon mass fraction in light hydrocarbon,like C_(5),using inductively coupled plasma optical emission spectroscopy(ICP-OES).The researchers changed such conditions as sample pre-treatment,oxygen flow,chamber temperature and RF power,and then the appropriate parameters for the silicon mass fraction measurement in C_(5) light hydrocarbon were determined.The method can also be used to detect the samples with carbon number around C_(5).

关 键 词：ICP-OES C_(5)轻烃 硅质量分数检测 

分 类 号：TQ014[化学工程]