三维封装DDR2存储器VD2D4G72XB191 XX3U6测试  被引量:2

A test method of 3D-packaging DDR2 SDRAM memory module VD2D4G72XB191XX3U6

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作  者:汤凡 占连样 陈像 王鑫 王烈洋 

机构地区:[1]珠海欧比特宇航科技股份有限公司,珠海519080

出  处:《电子产品世界》2022年第5期78-82,共5页Electronic Engineering & Product World

摘  要:DDR2 SDRAM具有速度快、价格便宜、容量大的特点,应用非常广泛。通过采用三维封装技术将5片数据位宽为16 bits的DDR2 SDRAM芯片封装成一个存储模块VD2D4G72XB191XX3U6,在不额外占用PCB面积的情况下,提高了存储容量,并将位宽扩展到72 bits。与其它存储器相比DDR2 SDRAM操作较为复杂,封装成一个位宽72bit的模块后,测试难度进一步增加,针对这一问题,本文提出了基于Magnum 2测试系统的DDR2 SDRAM存储模块VD2D4G72XB191XX3U6的测试方法,对直流参数、交流参数以及功能进行了测试,论述了测试的关键技术。

关 键 词:DDR2 SDRAM Magnum 2测试系统 VD2D4G72XB191XX3U6 

分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]

 

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