G波段高输出功率发射组件的设计  

作　　者：韩玉朝 孔令甲 李德才 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北省石家庄市050051

出　　处：《电子技术与软件工程》2022年第6期170-173,共4页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频,将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后,加工制作了实物模型进行测试,整体组件的饱和输出功率优于25mW,带内杂散抑制度优于40dBc,并且在脉冲周期20μs,占空比10%的条件下可正常工作,达到了预期设计目标,满足工程化应用的需求。

关 键 词：G波段 太赫兹有源器件 高输出功率 杂散抑制度 

分 类 号：TN830[电子电信—信息与通信工程] O441.4[理学—电磁学]