第三代半导体引领5G基站技术全面升级  

作　　者：Filippo Di Giovanni 

机构地区：[1]意法半导体汽车和分立器件产品部

出　　处：《电子产品世界》2022年第6期3-3,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：5G受到追捧是有充足的理由的。根据CCS Insight的预测,到2023年,5G用户数量将达10亿;2022年底,5G蜂窝基础设施将承载近15%的全球手机流量。高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G基础设施对射频半导体器件的硬性要求。对于整个第三代半导体技术,尤其是氮化镓(GaN),5G开始商用是一大利好。与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比,GaN器件的开关频率、输出功率和工作温度更高,适合1-110 GHz的高频通信应用,涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通信,以及雷达应用。

关 键 词：半导体器件 雷达应用 微波通信 高频通信 移动通信 无线网络 砷化镓 基础设施 

分 类 号：TN929.5[电子电信—通信与信息系统]