保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响  

Effect of guard ring on capacitance characteristics of DDSCR electrostatic protection device

作　　者：杨帅康 汪洋 苏雪冰 张玉叶 杨红娇 

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭411105 [2]湖南省微光电与系统集成实验室,湘潭411100

出　　处：《电子产品世界》2022年第6期74-78,共5页Electronic Engineering & Product World

基　　金：湖南省教育厅优秀青年基金项目,项目编号:19B557;湖南省研究生科研创新项目,项目编号:QL20210141。

摘　　要：本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。

关 键 词：双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统 

分 类 号：TN03[电子电信—物理电子学]