检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:金锐
机构地区:[1]全球能源互联网研究院有限公司,北京102211
出 处:《科技成果管理与研究》2022年第2期62-65,共4页Management And Research On Scientific & Technological Achievements
基 金:国家重点研发计划“智能电网技术与装备”重点专项“柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用”项目(项目编号:2016YFB0901800)资助.
摘 要:绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在“双高”电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色。与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻、抗电流冲击能力强、失效短路等优点,可以更好地满足装备对更大功率容量的器件需求。
关 键 词:绝缘栅双极晶体管 功率半导体器件 大功率IGBT 柔性直流输电 电流冲击 驱动功率 定制化 低热阻
分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]
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