微电子所在多模态铁电存算一体FinFET器件与单元电路研究方面获进展  

出　　处：《高科技与产业化》2022年第3期82-82,共1页High-Technology & Commercialization

摘　　要：受制于传统冯诺依曼架构下“存储墙”问题,芯片的算力难以进一步提升,限制了大数据以及人工智能等新兴信息技术产业的发展。存内计算是非冯诺依曼架构下提高芯片算力的一种有效途径,基于铁电晶体管(FeFET)的存算融合电路由于具有低功耗、高CMOS兼容性以及无损读出等优点,被认为是极具潜力的一种存内计算技术方向。现已报道的Fe-FET存算电路多为单模机制。实现逻辑门电路往往需要多器件集成或通过外围电路辅助来获得高效的存算功能,而且在实现存算单元电路的重构过程中面临方案复杂、重构逻辑种类有限的挑战。

关 键 词：逻辑门电路 计算技术 人工智能 冯诺依曼 大数据 单元电路 存储墙 铁电晶体 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386