电子级三氯氢硅中微量氯硅烷杂质检测应用  

Determination of Trace Chlorosilane Impurities in Electronic Grade Trichlorosilane

作　　者：王春英 周晓咪 刘正启 WANG Chunying;ZHOU Xiaomi;LIU Zhengqi(Tangshan Sanfu Electronic Materials Co. , Ltd. , Tangshan 063000, China;Ireland AGC Instruments Beijing Representative Office, Beijing 100076, China)

机构地区：[1]唐山三孚电子材料有限公司,河北唐山063000 [2]爱尔兰AGC仪器公司北京代表处,北京100076

出　　处：《低温与特气》2022年第3期42-44,共3页Low Temperature and Specialty Gases

摘　　要：使用AGC NovaCHROM 1000气相色谱仪,搭载放电离子化检测器(DID),采用中心切割的方法检测电子级三氯氢硅中氯硅烷杂质。Using AGC NovaCHROM 1000 gas chromatograph,equipped with discharge ionization detector(DID),the chlorosilane impurity in electronic grade trichlorosilane was detected by center cutting method.

关 键 词：电子级三氯氢硅 中心切割 DID 

分 类 号：TQ117[化学工程—无机化工]