检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:黄杰杰 何志达 李清宇 狄聚青 Huang Jiejie;He Zhida;Li Qingyu;Di Juqing(National Rare Metal Engineering Technology Research Center First Rare Materials Co.,Ltd.,Qingyuan 511517;Key Laboratory of Guangdong High Performance Thin Film Solar Material Enterprise Rare Metals,First Materials Co.,Ltd.,Qingyuan 511517;Vital Advanced Materials Co.,Ltd.,Qingyuan 511517,China)
机构地区:[1]国家稀散金属工程技术研究中心,广东先导稀材股份有限公司,广东清远511517 [2]广东省高性能薄膜太阳能材料企业重点实验室,清远先导材料有限公司,广东清远511517 [3]广东先导微电子科技有限公司,广东清远511517
出 处:《广东化工》2022年第11期1-4,共4页Guangdong Chemical Industry
基 金:广东省科技厅+广东省省级科技计划项目(2018年)+广东省高性能薄膜太阳能材料企业重点实验室+项目编号:2018B030323010资助。
摘 要:超高纯镉纯度为99.99999%,由其制备的CdZnTe晶体广泛用于光电器件、红外探测器、核辐射探测器等。超高纯镉的制备方式主要为区域熔炼法,研究表明杂质元素的平衡分离系数、熔区长度、区熔次数、区熔速度对工艺的提纯效果有直接影响。在高纯氢气的保护下,区熔速度为30~50 mm/h,前6次熔区长度为7~10 cm,后6次熔区长度为5~7 cm,经过12次区熔后,材料中的杂质5.77 ppm降低到0.1 ppm以下,满足了半导体及光电材料的应用需求。The purity of ultra-high purity cadmium is 99.99999%.The CdZnTe crystal prepared from it is widely used in photoelectric devices,infrared detectors,nuclear radiation detectors,etc.Ultra high purity cadmium was prepared by zone melting.The results show that the equilibrium separation coefficient,melting zone length,melting times and melting speed are directly affect the purification effect.The impurities were analyzed by GDMS,and the results show that under the protection of high purity hydrogen,with the melting speed 30 mm/h,the length of melting zone 7~10 cm(1~6 times)and 5~7cm(7~12 times).After 12times of melting,the total content of impurities is reduced from 5.77 ppm to below 0.1 ppm,which meets the application requirements of semiconductor and photoelectric materials.
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