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作 者:王蕾 秦国帅[2] WANG Lei;QIN Guoshuai(Henan Institute of Metrology,Zhengzhou 450018,CHN;School of Mechanics and Safety Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450001,CHN)
机构地区:[1]河南省计量科学研究院,郑州450018 [2]郑州大学力学与安全工程学院,郑州450001
出 处:《半导体光电》2022年第2期363-368,共6页Semiconductor Optoelectronics
基 金:国家自然科学基金项目(12002316);河南省科技攻关计划项目(192102210012)。
摘 要:文章基于挠曲电和应变梯度效应的共同影响,建立了静拉伸下一维压电半导体力电耦合计算模型,数值分析了挠曲电和应变梯度效应对位移、电势、电位移、载流子分布等物理场的影响。结果表明:两种效应对机械位移场没有影响,但对各电相关物理场的分布影响显著;挠曲电效应对压电结构本身的压电性能有抑制作用,而应变梯度效应却增强了其压电特性。本研究为压电类微纳结构的机电特性分析提供了理论指导。By utilizing a developed electromechanical coupling model considering the coupled flexoelectric and strain gradient effect,the dimension-dependent physical fields such as displacement,electric potential,electric displacement and carrier distribution were systematically investigated.It is shown that the flexoelectricity and strain gradient have a significant influence on the electrical related physical fields,but less effect on the mechanical displacement.Furthermore,in contrast to the strain gradient enhancing effect,the piezoelectric properties of micro-nano structures are suppressed by flexoelectricity.This study provides a theoretical guidance for analysis of the electromechanical characteristics of piezoelectric micro-nanostructures.
关 键 词:压电半导体纳米纤维 挠曲电效应 应变梯度效应 力电性能 计算模型
分 类 号:TN304.9[电子电信—物理电子学]
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