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作 者:施雨达 陈群超[1] SHI Yuda;CHEN Qunchao(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350116,P.R.China)
机构地区:[1]福州大学物理与信息工程学院,福州350116
出 处:《微电子学》2022年第2期306-311,共6页Microelectronics
基 金:国家自然科学基金资助项目(92064006)。
摘 要:为了解决高精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中电容失配对精度的影响,设计了一种二阶误差反馈型失配误差整形(EFMES)16位精度、500 kS/s采样率、3.3 V工作电压的SAR ADC。采用二阶EFMES结构和动态元件匹配技术,降低了电容失配对ADC精度的影响。该EFMES SAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。在输入信号幅度为2.6 V、采样率为500 kS/s时,该ADC的功耗为8.382 mW,SNDR为93.67 dB,ENOB为15.27位,基于SNDR的FoM为168.4 dB。In order to solve the impact of capacitance mismatch on accuracy in high-precision SAR ADC, a second-order error-feedback mismatch error shaping(EFMES) SAR ADC with 16-bit accuracy, 500 kS/s sampling rate and 3.3 V working voltage was designed. Second order EFMES structure and dynamic element matching technology were adopted to reduce the influence of capacitor mispairing on ADC accuracy. The EFMES SAR ADC was designed in a SMIC 0.18 μm CMOS process. When the input signal amplitude was 2.6 V and the sampling rate was 500 kS/s, the power consumption of the ADC was 8.382 mW, the SNDR was 93.67 dB, the ENOB was 15.27 bit, and the SNDR-based FoM was 168.4 dB.
关 键 词:逐次逼近型模数转换器 电容失配 误差反馈型失配误差整形 动态元件匹配
分 类 号:TN792[电子电信—电路与系统]
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