基于GaN HEMT F类功率放大电路设计  

作　　者：刘多伟 程飞 黄卡玛[1] 

机构地区：[1]四川大学电子信息学院,四川成都610065

出　　处：《电子制作》2022年第12期9-12,共4页Practical Electronics

摘　　要：本文基于一款商用GaN HEMT功率器件设计了一款工作在2.45GHz的高效F类功率放大器。该电路的设计利用负载牵引—源牵引仿真技术的方法,确定基波的最佳功率和最佳效率阻抗区域。输出匹配网络在功率器件电流源面对二次谐波短路,对三次谐波开路。另外,为该放大器设计了一款时序保护电路,可提供栅极电压-2.7V,漏极电压28V。仿真结果显示,在2.45GHz时,饱和输出功率为44.17dBm,功率附加效率为73.1%,增益14.1dB。可以应用于微波无线能量传输、微波加热等领域。

关 键 词：负载牵引 GaN HEMT 高效率 F类功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]