ZnO基纳米线复合材料阻变式存储器的制作工艺和效能分析  

作　　者：高帅华 

机构地区：[1]厦门大学,福建省厦门市361102

出　　处：《电子技术与软件工程》2022年第11期147-151,共5页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文介绍了基于导电细丝理论设计并通过磁控溅射等技术制备新型Pt/ZnO-PMMA/Al结构柔性阻变式随机存储器,在具备良好存储性能的同时,能够经受105次弯折并保持性能稳定,为柔性存储器件研发领域提供新的设计思路。阻变式存储器作为存储技术的全新发展方向,对于提高运算力有着巨大的潜在价值。

关 键 词：柔性阻变存储器 PMMA复合材料 ZNO纳米线 导电细丝理论 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]