基于GaN器件的超宽带T/R组件  

作　　者：无 吴昌勇 周丽 刘英 余雷 钟贵朝 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十九研究所 [2]不详

出　　处：《中国科技成果》2022年第12期20-20,共1页China Science and Technology Achievements

摘　　要：新一代军用电子装备需提升干扰距离,瞬时宽带覆盖多目标,并实现电子战、雷达、通信多功能一体化协同融合,对有源相控阵T/R组件提出了超宽带、大功率、高集成、快速收发等要求.GaN器件具备高功率密度、超宽带等优异特性,相对GaAs体积更小,功率和带宽更大,是实现超宽带大功率T/R组件的必然选择.GaN超宽带T/R组件将大功率微波电路、小信号微波电路、模拟电路、控制电路等多种功能器件集成在一个小体积内,体积较GaAs T/R组件缩小一半、功率提升大于3倍、带宽扩大3倍,但机、电、热一体化集成设计面临诸多难题,亟需开展GaN超宽带T/R组件集成技术研究.

关 键 词：T/R组件 有源相控阵 超宽带 微波电路 模拟电路 干扰距离 多功能一体化 军用电子装备 

分 类 号：TN9[电子电信—信息与通信工程]