立方砷化硼有潜力成为比硅更优的半导体材料  

出　　处：《河南科技》2022年第15期2-2,共1页Henan Science and Technology

摘　　要：科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示,一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率,有潜力成为比硅更优良的半导体材料。硅是目前应用最广泛的半导体材料,然而硅作为半导体有两项不足。第一,硅不太善于传导热量,导致芯片温度总是过热,散热问题已经成为制约芯片性能的重要因素。第二,硅有较好的电子迁移率,但不具备足够好的空穴迁移率,后者对半导体性能也很重要。材料中带负电的电子离开后,留下带正电的空位,被称作“空穴”。电子迁移率和空穴迁移率统称为双极性迁移率。

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分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]