重症脑损伤昏迷患者重复经颅磁刺激治疗前后的局部脑电图平均功率和慢波功率变化情况  

作　　者：孙杰[1] 万健[1] 

机构地区：[1]上海市浦东新区人民医院急诊与重症医学科,上海200120

出　　处：《检验医学与临床》2022年第16期2270-2272,共3页Laboratory Medicine and Clinic

基　　金：上海市浦东新区卫生健康委员会领先人才培养计划项目(PWRI2018-08)。

摘　　要：目的探讨重症脑损伤(SBI)昏迷患者重复经颅磁刺激(rTMS)治疗前后的局部脑电图(EEG)平均功率和慢波功率变化情况,以期为该病的促醒治疗提供理论依据。方法选取2018年1月至2021年3月该院重症监护病房收治的处于昏迷状态[格拉斯哥昏迷评分法(GCS)评分<9分]的SBI患者38例为研究对象。对所有研究对象均予以rTMS治疗,比较rTMS治疗前后EEG中Fp1、F3、C3、F7和T3通道上的平均功率和慢波功率。结果rTMS治疗后,SBI昏迷患者Fp1、F3、C3、F7和T3通道上的平均功率较rTMS治疗前均明显降低,差异有统计学意义(P<0.05)。rTMS治疗后,SBI昏迷患者Fp1、F3、C3、F7和T3通道上的慢波比(DTR)较rTMS治疗前均明显降低,差异有统计学意义(P<0.05)。纳入的38例SBI昏迷患者均有不同程度的EEG异常现象,其中中高幅慢波者8例,占21.05%(8/38),θ阵发型EEG 12例,占31.58%。在予以rTMS治疗后,慢波显著减少,EEG波形分化明显改善。结论对SBI昏迷患者实施rTMS治疗能有效改善患者的EEG,rTMS可作为该病潜在的促醒治疗方法之一。

关 键 词：重症脑损伤 昏迷 重复经颅磁刺激 局部脑电图 

分 类 号：R651.15[医药卫生—外科学]