光浮区法生长高光产额快衰减Ce:GGAG闪烁晶体  

Growth of Ce:GGAG Scintillation Crystals with Character of High Light Yield and Fast Decay by Optical Floating Zone Method

作　　者：石云[1] SHI Yun(The State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure,Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China)

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海200050

出　　处：《应用技术学报》2022年第3期295-298,共4页Journal of Technology

摘　　要：闪烁材料作为光学和能量转换材料在高能射线探测和成像领域得到了广泛的应用。多年来,国内外研究学者一直致力于研发高性能的新型闪烁体。其中,(Ce,Gd)_(3)(Ga,Al)_(5)O_(12)(Ce:GGAG)被认为是最有前途的新一代X射线CT探测用候选材料之一[1],在晶体生长、透明陶瓷制备以及组分调控等方面已经开展了大量研究工作[2-4]。Ce:GGAG是Gd_(3)Al_(5)O_(12)(GAG)和Gd_(3)Ga_(5)O_(12)(GGG)的组分间化合物,属于石榴石结构立方晶系。

关 键 词：高能射线 浮区法 闪烁晶体 立方晶系 能量转换材料 晶体生长 石榴石结构 X射线CT 

分 类 号：O782[理学—晶体学] TB34[一般工业技术—材料科学与工程]