光致聚合型全息存储材料收缩对体光栅影响的实验研究  

作　　者：王智斌 

机构地区：[1]湖北联合天诚防伪技术股份有限公司,湖北武汉430000

出　　处：《中国科技纵横》2022年第15期70-71,127,共3页China Science & Technology Overview

摘　　要：光致聚合型全息存储材料在曝光后由于发生聚合反应、单体扩散反应等,材料本身会出现不同程度的收缩,而材料的收缩又会使得光栅矢量改变,无法保持最佳读出角度,导致全息图读出时出现失真的情况。探究材料收缩对体光栅的影响,进而寻找最佳曝光量,成为发挥光致聚合型全息存储材料应用价值的关键。本文介绍了光致聚合型全息存储材料的收缩机理,通过实验分析了不同曝光量对光栅距离收缩的影响,并验证了干涉条纹反衬度越低,材料收缩量越小的规律。

关 键 词：光致聚合全息存储材料 体光栅 曝光量 条纹反衬度 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]