采用IGBT7的1700V Econo DUAL™3模块性能解析  

作　　者：无 

机构地区：[1]英飞凌工业半导体

出　　处：《变频器世界》2022年第9期37-44,共8页The World of Inverters

摘　　要：引言半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试,对英飞凌全新TRENCHSTOP™1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳900A和750A EconoDUAL™3模块的电气性能和热性能,与英飞凌IGBT4技术进行了比较。在1700V IGBT模块特定应用背景下,考虑到了芯片优化。研究结果表明,采用新型1700V IGBT7/EC7技术的模块在大量应用中显著提高了功率密度。

关 键 词：IGBT模块 半导体市场 特定应用 电气性能 产品组合 逆变器 英飞凌 性能水平 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]