一种新型的耐高压箝位ESD保护电路设计  

Design of a Novel Clamped ESD Protection Circuit with High Voltage Tolerance

作　　者：朱兆旻 何艳梅 程宪宝 ZHU Zhaomin;HE Yanmei;CHENG Xianbao

机构地区：[1]北部湾大学电子与信息工程学院,广西钦州535011

出　　处：《北部湾大学学报》2022年第4期33-36,共4页Journal of BeiBu Gulf University

摘　　要：对全芯片的静电释放(ESD)防护进行了设计与研究,提出了一种新的耐高压增强型箝位ESD芯片保护电路。该ESD保护电路由2个电阻、2个电容和3个MOS管组成,包含1个静电检测模块。仿真结果显示,此电路能完美实现ESD保护作用,可以承受5 kV的瞬时高压。

关 键 词：静电释放 耐高压 保护电路 数模混合信号 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]