MgO磁性隧道结磁电阻研究进展  

作　　者：杨理庆 唐慧敏 

机构地区：[1]广西师范大学物理科学与技术学院,广西桂林541004 [2]桂林市桂电中学,广西桂林541000

出　　处：《广西物理》2022年第1期92-95,共4页Guangxi Physics

基　　金：广西师范大学教育教学改革项目(2021JGA15);广西高等教育本科教学改革工程项目(2021JGB147)。

摘　　要：磁电阻效应对在电子器件领域有着十分重要的作用。本文主要对MgO磁性隧道结进行了探讨,简单介绍了磁性隧道结的基本概念、MgO磁性隧道结的结构优势,并概述了近年来对MgO磁性隧道结磁电阻的实验研究进展,主要叙述了近年来人们对MgO磁性隧道结隧穿磁电阻(TMR)和各向异性磁电阻(AMR)的实验研究进展以及理论研究进展,特别是Youqi Ke等人对Fe/MgO/Fe磁隧道结中MgO势垒中氧空位(OV)影响隧穿磁电阻(TMR)的理论研究以及L.K.Zou等人对MgO磁性隧道结各向异性磁电阻(AMR)的研究。

关 键 词：氧化镁磁性隧道结 隧穿磁电阻 各向异性磁电阻 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]