结电容对功率MOSFET关断特性的影响分析  

Analysis of influence of junction capacitance on turn off characteristics of power MOSFET

作　　者：丁继 唐开锋 

机构地区：[1]华润微电子(重庆)有限公司,重庆400000

出　　处：《电子产品世界》2022年第10期71-74,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉冲实验,实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于器件设计优化和应用改善。

关 键 词：关断特性 结电容 SPICE模型 双脉冲 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]