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作 者:王集锦 普文冉 马骏 王铁龙 张顺 韩圣贤 刘作业[1] 杨冬燕 WANG Jijin;PU Wenran;MA Jun;WANG Tielong;ZHANG Shun;HAN Shengxian;LIU Zuoye;YANG Dongyan(School of Nuclear Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China)
机构地区:[1]兰州大学核科学与技术学院,甘肃兰州730000
出 处:《大学物理实验》2022年第4期13-16,共4页Physical Experiment of College
基 金:教育部第二批新工科研究与实践项目(E-HJFZQG20202431);兰州大学教育教学改革研究项目(2020-2081)。
摘 要:半导体在当今社会中扮演着举足轻重的作用,在大学物理实验教学中,让学生能够深入理解半导体的带隙性质和测量方法有着重要的意义。紫外可见漫反射光谱方法是一种简便易行的确定半导体的带隙以及能带结构的方法。本文使用紫外-可见漫反射光谱以及Tauc Plot方法确定Ruddlesden-Popper半导体钙钛矿Sr_(n+1)Ti_(n)O_(3n+1)(n=1,2,3,∞)的带隙,并讨论了Tauc plot公式在透射和反射情形下的应用。Semiconductors play a important role in the contemporary age.In college physics experiment teaching,it is of great significance for students to deeply understand the band gap properties and measurement methods of semiconductors.The ultraviolet-visible diffuse reflectance spectroscopy method is an easy way to determine the band gap and energy band structure of semiconductors.It uses ultraviolet-visible diffuse reflectance spectroscopy and the Tauc Plot method to determine the band gap of the Ruddlesden-Popper semiconductor perovskite Sr_(n+1)Ti_(n)O_(3n+1)(n=1,2,3,∞),and discusses the application of the Tauc Plot formula in transmission and reflection conditions.
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