全尺寸效应的MOS晶体管优化SPICE局域失配模型  

作　　者：张瑜 商干兵 舒颖 

机构地区：[1]上海华力集成电路制造有限公司

出　　处：《中国科技信息》2022年第22期50-52,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：随着半导体制造技术的不断进步,CMOS工艺器件制造工艺已经发展到了纳米级别,元件尺寸不断减小,集成电路结构及版图复杂化程度不断提高,器件彼此之间不匹配现象也随之越来越严重,从而在一定程度上影响到射频/模拟集成电路的性能,甚至会导致电路不能正常工作。这一失配现象会影响到多路模拟系统、差分对、电流镜、带隙基准电压源、A/D转换器、D/A转换器这些基本的模拟电路单元结构;在数字系统这类大规模存储器的设计中,也必须考虑晶体管失配对子存储单元时钟信号的影响,因此匹配也同样重要。在一定程度上来说,在特定工艺下器件失配程度决定了电路的最终设计精度和成品率。

关 键 词：D/A转换器 A/D转换器 存储单元 模拟集成电路 元件尺寸 单元结构 时钟信号 模拟电路 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]