晶圆湿法蚀刻清洗工艺及流量控制发展  被引量:1

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作  者:谷康康 陶晓杰[1] 

机构地区:[1]合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,安徽合肥230009 [2]长鑫存储技术有限公司,安徽合肥230601

出  处:《清洗世界》2022年第10期1-3,7,共4页Cleaning World

摘  要:对比两种集成电路制造湿法工艺设备的优缺点及未来发展趋势,对影响单片湿法清洗工艺中蚀刻率因素进行分析总结,介绍化学药液混合和制程喷吐中流量控制技术的发展,设计实验将两种化学药液流量控制阀件的蚀刻清洗效果对比,并对未来技术发展进行简要分析。

关 键 词:集成电路 湿法蚀刻清洗 蚀刻率 化学药液 流量控制 

分 类 号:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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