高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计  

作　　者：林峰 

机构地区：[1]厦门市三安集成电路有限公司,福建厦门361009

出　　处：《中国新技术新产品》2022年第18期31-33,共3页New Technology & New Products of China

摘　　要：该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长。模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,阈值电流变小,弛豫振荡频率和阻尼因子增大;腔长缩短为1/2λ,弛豫振荡频率增大,同时由于传输因子变小,阻尼因子不会限制调制响应带宽;在1/2λ腔中Al_(0.90)Ga_(0.10)As掺杂,可以使微分电阻变小。优化后的单氧化层VCSEL最大电光转换效率为42.3%,调制响应-3 dB带宽为25 GHz。

关 键 词：垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 量子阱 谐振腔 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]