GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法  

作　　者：银军[1] 黄旭 李用兵[1] 余若祺[1] 倪涛[1] 王忠 许春良[1] 赵鹏阁 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2022年第7期107-109,共3页Telecom World

摘　　要：本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响。同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命。

关 键 词：GaAs异质结构场效应晶体管 热电子效应 射频加速试验 可靠性 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]