高频涌流对真空灭弧室场致发射电流的影响研究  

作　　者：赵施林 常占宁 张一平 余勇祥 程宏波 

机构地区：[1]中国铁路兰州局集团有限公司供电部,甘肃兰州730000 [2]华东交通大学电气与自动化工程学院,江西南昌330013

出　　处：《江西电力》2022年第9期34-37,共4页Jiangxi Electric Power

摘　　要：根据IEC相关标准,真空断路器投切背靠背电容器组实验需承受20 kA幅值、4 250 Hz频率的高频涌流。高频涌流会严重烧蚀真空灭弧室触头表面,导致开断过程中易发生重击穿现象,严重威胁电力系统安全运行。文中目标为研究工频电压下高频涌流对真空灭弧室场致发射电流的影响规律。实验选取4个相同7.2 kV真空灭弧室,分别关合10 kA和20 kA幅值涌流2次,每次关合高频涌流后,在1 mm定开距触头上施加工频电压并测量流经真空灭弧室的场致发射电流。实验结果表明,在触头上施加涌流的次数越多,涌流幅值越大,场致发射电流越大。工频电压下,场致发射电流具有不对称性。当外加电压超过临界电压值时,可以使场致发射电流显著增大。实验结果对探究容性电流投切弧后重击穿机理具有重要意义。

关 键 词：真空灭弧室 背靠背电容器组 高频涌流 场致发射电流 容性电流投切 

分 类 号：TM561[电气工程—电器]