基于弱取向外延生长多晶薄膜的OLED研究进展  被引量:1

Research Progresses on Polycrystalline Thin-film Organic Light-emitting Diodes Based on Weak-epitaxy-growth Technique

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作  者:刘奕君 朱峰[1,2] 闫东航[1,2] LIU Yijun;ZHU Feng;YAN Donghang(State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry,Changchun Institute of Applied Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130022,China;School of Applied Chemistry and Engineering,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,China)

机构地区:[1]中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林长春130022 [2]中国科学技术大学应用化学与工程学院,安徽合肥230026

出  处:《发光学报》2023年第1期129-139,共11页Chinese Journal of Luminescence

基  金:科技部重点研发计划(2017YFA0204704)。

摘  要:有机晶体材料中分子排列规则,形成长程有序、缺陷态密度低的结构,相对于非晶态材料具有很好的热稳定性、化学稳定性以及高的载流子迁移率,使得有机晶体材料在发展高性能OLED方面具有巨大的潜力。本文总结了近期利用弱取向外延生长技术发展的多晶薄膜OLED(C-OLED)系列工作。从最初的单结晶层绿光器件发展到多层掺杂深蓝光器件,C-OLED证实晶态有机半导体路线可以实现有效发光,器件表现出低启亮电压、低工作电压、高光输出、高功率效率和低焦耳热损耗等优越特性。Organic crystalline materials possess ordered molecular arrangement,forming structures with long-range order and low density of defect states.These properties result in good thermal stability,chemical stability and high carrier mobility compared to organic amorphous materials,making organic crystalline materials have great potential in developing high-performance OLEDs.This paper reviews the recent progress on crystalline thin-film OLEDs(COLEDs)based on weak-epitaxy-growth(WEG)technique.From the initial single crystalline layer green-emission device to multi-layer doped deep-blue-emission device,C-OLEDs have proved the crystalline organic semiconductor route is capable of realizing efficient light emitting,and the devices have achieved superior characteristics of low turnon voltage,low operating voltage,high photon output,high power efficiency and low Joule heat loss.

关 键 词:有机发光二极管 多晶薄膜 弱取向外延生长 

分 类 号:TN312.8[电子电信—物理电子学]

 

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