CdS/Ag/GQDs的制备及其光催化性能的研究  

作　　者：郭小峰 黄倩 蒙晶 蔡华 

机构地区：[1]重庆交通大学材料科学与工程学院,重庆400041

出　　处：《新型工业化》2022年第11期164-172,共9页The Journal of New Industrialization

摘　　要：本实验以硫化镉(CdS)为基础材料,通过负载金属银(Ag)和石墨烯量子点(GQDs)来提高半导体的光催化活性和稳定性。通过固态研磨制备CdS,再利用一步水热法制备出CdS纳米棒。经分析,水热5h合成的CdS纳米棒光催化活性最好,再采用光还原法将Ag负载于CdS纳米棒上,得到Ag/CdS。最后将水热法制备的GQDs通过机械搅拌负载于Ag/CdS,获得了CdS/Ag/GQDs。对合成样品的结构和光学性质进行表征。经过Ag和GQDs负载后的CdS纳米棒,Ag良好的导电性促进了电子-空穴对的分离,GQDs提高了材料的光吸收范围,证实了复合材料在可见光下具有较强的光催化活性。实验测得Ag:CdS的摩尔比为1∶100,GQDs∶Ag/CdS的质量比为1∶5时,复合材料的光催化性能最佳。

关 键 词：CDS纳米棒 Ag负载 石墨烯量子点 光催化 改性 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]