基于CMOS工艺的芯片ESD设计  

作　　者：黄璇 

机构地区：[1]深圳市紫光同创电子有限公司,广东深圳518057

出　　处：《电子元器件与信息技术》2022年第12期56-59,共4页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：随着射频电路工作频率不断升高,ESD已经成为影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素。针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化。采用Jazz 0.18μm SiGe BiCMOS工艺对ESD防护电路进行设计和流片。经过测试得出,ESD保护电压最高可达到3000V。更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500V。文中阐述了ESD防护架构的基本原则,并给出了一种采用CMOS工艺设计应用于IC卡晶片上的防护工作电路。探讨了几个关键设计参数及其对ESD保护电路特性的影响,并做出了物理上的说明。

关 键 词：CMOS 工艺 IC卡 ESD 保护电路 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]