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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘阳 LIU Yang(Locomotive&Car Research Institute,China Academy of Railway Sciences Corporation Limited,Beijing 100081,China)
机构地区:[1]中国铁道科学研究院集团有限公司,机车车辆研究所,北京100081 [2]动车组和机车牵引与控制国家重点实验室,北京100081 [3]北京纵横机电科技有限公司,北京100094
出 处:《电力电子技术》2023年第1期45-48,共4页Power Electronics
基 金:中国国家铁路集团有限公司科技研究开发计划(L2021J001)。
摘 要:基于硅器件的半导体开关技术,在电力电子各行业中广泛应用。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通常具有微秒级的开关速度,在开关过程中不可避免地产生较大的电流变化率。由于主回路杂散电感的存在,将在直流母线上产生感应电压,使母线上的器件承受额外的电压应力,进而产生过压失效的风险。在阐述IGBT电压尖峰产生机理的基础上,结合一种变流器功率模块的主回路拓扑,分析主回路杂散电感的构成因素,通过阻抗分析仪对样机主回路母排组件进行测试,揭示了各自的构成比例。通过对功率模块样机的双脉冲测试,对各个回路的杂散电感进行了验证。最后,在评估以上数据的基础上,对功率模块设计及应用进行了若干总结。Semiconductor switching technology based on silicon devices,such as insulated gate bipolar transistor(IGBT),has been widely used in power electronic industries.Generally,IGBT can complete switching behavior in microsecond,hence a considerable di/dt is inevitably generated.Because of stray inductance in main circuit,a voltage spike will be brought in the DC bus.Devices in DC-link suffer extra electrical stress,faced with the risk of over voltage failure.On the basis of expounding generating mechanism of the voltage spike,combined with the topology of a power module in converter,the components of stray inductance are analyzed.By means of impedance analyzer,components in main circuit of the prototype are tested and their composition ratio is revealed.In view of prototype,double pulse test is carried out to verify stray inductance of each loop.On basis of the evaluation of test data,the design and application of power module are summarized in the end.
关 键 词:绝缘栅双极型晶体管 杂散电感 电压尖峰 功率模块
分 类 号:TN32[电子电信—物理电子学]
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