2~18 GHz 300 W GaN固态功率放大器  被引量:3

2-18 GHz 300 W GaN Solid-state Power Amplifier

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作  者:王仁军 成海峰[1] 徐建华[1] 喻先卫 祝庆霖 周晨 WANG Renjun;CHENG Haifeng;XU Jianhua;YU Xianwei;ZHU Qinglin;ZHOU Chen(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区:[1]南京电子器件研究所,南京210016

出  处:《固体电子学研究与进展》2023年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘  要:南京电子器件研究所首次成功研制了2~18 GHz超宽带大功率固态功率放大器(Solid-state power amplifier,SSPA)。该固态功率放大器以本所研制的0.2μm GaN HEMT超宽带功率MMIC为基础,在2~18 GHz频段内单芯片的输出功率≥16 W,通过采用新型全空气超宽带高效合成结构,实现了30路高效功率合成。该合成结构相比现有合成技术,具有合成效率更高、散热布局更好的优点。实现的超宽带固态功率放大器饱和输出功率在2~18 GHz频段内大于300 W。

关 键 词:固态功率放大器 GHz 300 W GaN 

分 类 号:TN722.75[电子电信—电路与系统]

 

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