MOSFET升压驱动电路的设计  

作　　者：牛小玲[1] 王军[1] 毛会琼[1] 

机构地区：[1]中国矿业大学信控学院,江苏徐州221116

出　　处：《电子制作》2023年第4期78-81,共4页Practical Electronics

基　　金：2021年中国矿业大学教学研究项目(项目编号:2021XM02);2021年中国矿业大学实验技术研究与开发项目(项目编号S2021Y010)。

摘　　要：在分析了传统机械开关缺点的基础上提出用NMOSFET替代机械开关的技术和实现方法,设计了一款性价比极高的高压侧NMOSFET升压驱动电路,并用软件仿真的方式验证了该项技术以及所设计的升压驱动电路的可行性,最后通过制作PCB实物的方式进一步证明了该方案的正确性。通过使用该项新技术,可以减小产品的体积,大幅延长开关的使用寿命,提高能源的利用率,降低主开关的成本,拓展产品的使用场合。

关 键 词：MOSFET主开关 机械开关 升压驱动电路 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]