基于GaN的开关电源电路测试  

作　　者：董炜峰 张洪博 王络文 

机构地区：[1]黄山学院信息工程学院,安徽黄山245000

出　　处：《电子制作》2023年第4期82-85,88,共5页Practical Electronics

基　　金：黄山学院省级大学生创新创业训练计划项目(NO:S202110375039)。

摘　　要：论文围绕大功率开关电源的发展现状,介绍了基于氮化镓GaN器件的开关电源电路测试过程。论文分别介绍了倍增整流电路、同步整流电路、半桥倍流整流电路、半桥驱动电路的设计。论文给出了测试电路,并进行了测试。测试结果表明:同步整流电路主要用MOSFET代替整流二极管,低压大电流的场合,主要损耗在极大地降低了通压降,而MOSFET导通电阻带来的导通压降较小,这样极大的降低了功耗,提高效率。

关 键 词：开关电源 GAN器件 测试电路 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]