更正  

作　　者：《半导体技术》编辑部 

机构地区：[1]不详

出　　处：《半导体技术》2023年第3期203-203,共1页Semiconductor Technology

摘　　要：韩堰辉等人在《半导体技术》2023年第2期发表的论文《高能电子辐照对三结GaAs激光电池特性的影响》,因作者疏忽,第一署名单位地址有误,现更正如下:将“中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,江苏苏州215123”“School of Nano-Tech and Nano-Bionics,University of Science and Technology of China,Suzhou 215123,China”,更正为“中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,安徽合肥230026”“School of Nano-Tech and Nano-Bionics,University of Science and Technology of China, Hefei 230026,China”,特此声明。

关 键 词：纳米技术 高能电子辐照 半导体技术 中国科学技术大学 电池特性 江苏苏州 安徽合肥 署名单位 

分 类 号：TN3-5[电子电信—物理电子学] G23[文化科学]