对CFETR射频负离子源缓冲器能量消耗的研究  

作　　者：王浩伦 刘冲[1] 于琪 赵淼 

机构地区：[1]南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001

出　　处：《中国设备工程》2023年第7期268-270,共3页China Plant Engineering

摘　　要：在射频负离子源中性束放电实验过程中,由于电极表面和离子源腔体内部的状态变化,负载端不可避免的会出现打火的现象。由于供电系统与传输线路间分布杂散电容储能的存在,打火瞬间离子源电极会承受高幅值的瞬时电流与巨大的焦耳能量冲击,从而造成极板永久性的损坏。为了保护中性束注入核心部件长久可靠的运行,国内外针对抑制上述打火的情况普遍采用在离子源前段添加磁性缓冲器(core snubber)的手段。本文利用有限元模拟软件Ansoft Maxwell对CFETR射频负离子源所采用的缓冲器进行了磁体能量损耗过程分析,同时分析其二次辅助电路在打火状态下的电压电流情况。

关 键 词：射频负离子源 中性束 缓冲器 磁滞损耗 感应电动势 

分 类 号：TL629.1[核科学技术—核技术及应用]