双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究  

作　　者：张玉叶 汪洋 杨帅康 苏雪冰 杨红姣 

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院 [2]湖南省微光电与系统集成实验室

出　　处：《中国集成电路》2023年第4期36-39,72,共5页China lntegrated Circuit

基　　金：湖南省教育厅优秀青年基金项目资助(No.19B557);湖南省研究生科研创新项目资助(QL20210141)。

摘　　要：基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。

关 键 词：双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP) 

分 类 号：U463.6[机械工程—车辆工程] TM461[交通运输工程—载运工具运用工程]