上海硅酸盐所在浮区法生长Ce∶GGAG闪烁晶体方面取得系列进展  

作　　者：无 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所

出　　处：《稀土》2023年第2期109-109,共1页Chinese Rare Earths

摘　　要：近期,中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员石云等人开展了低Ga含量Ce∶GGAG(Ga/Al比为2/3)的光浮区法(optical floating zone method,OFZ)晶体生长和闪烁性能研究。与传统的提拉法(CZ)法和微下拉法(m-PD)法相比,光浮区法在晶体生长过程不需要坩埚,几乎不会在生长过程中引入杂质,可生长高熔点的晶体。

关 键 词：浮区法 晶体生长 闪烁性能 闪烁晶体 提拉法 高熔点 

分 类 号：O782.6[理学—晶体学]