TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究  

作　　者：乔亚峥 沈鹭 江鹏 刘信 丁俊 

机构地区：[1]武汉京东方光电科技有限公司,湖北省武汉市430040

出　　处：《电子技术与软件工程》2023年第7期126-129,共4页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明:栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。

关 键 词：超维场转换技术 栅极半透掩膜版 透光率 

分 类 号：TN873[电子电信—信息与通信工程]