宽带低相噪梳谱SiP的设计开发  被引量:1

Design and Development of Comb Spectrum SiP with Broadband Low Phase Noise

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作  者:王燕[1] WANG Yan(The 29th Research Institute of CETC,Chengdu 610036,China)

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都610036

出  处:《电子工艺技术》2023年第3期6-8,31,共4页Electronics Process Technology

摘  要:描述了一种宽带低相噪梳谱SiP的设计思路和问题分析。综合运用电路、热、力学等多维度物理量仿真和工程分析,在RF类产品不断小型化的趋势下,不断探索和开拓设计边界。高密度梳谱Si P的技术指标达到课题的技术要求,已大量应用于工程课题。The design idea and problem analysis of a comb spectrum SiP with broadband low phase noise are described.By integrated utilizing multi-dimensional physical simulation and engineering analysis such as circuit,thermodynamics,mechanics,the design boundaries are continuously explored and expanded in the trend of miniaturization of RF products.The technical indexes of high density comb spectrum SiP meet the technical requirements of the project and have been applied in many other projects.

关 键 词:低相噪 梳谱 SIP 

分 类 号:TN60[电子电信—电路与系统]

 

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