双钙钛矿Cs_(2)BI_(6)(B=Ti、Zr、Hf)电子结构和光学性质的第一性原理研究  

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作  者:赵洋洋 

机构地区:[1]中国刑事警察学院基础教研部,辽宁沈阳110854

出  处:《化学工程与装备》2023年第4期35-37,共3页Chemical Engineering & Equipment

基  金:中央高校基本科研业务费博士科研启动金项目D2019018。

摘  要:钙钛矿结构一直是光伏材料研究的热点,采用密度泛函理论计算了阴离子缺陷的第IVB族基双钙钛矿的几何结构、电子结构和光学性质。发现在一定的阴离子缺陷密度下,本来是半导体的Cs_(2)BI_(6)价带底下穿费米面转变为导体,面心正八面体结构沿111方向出现畸变,键角由60°减小为57.8°、57°、57.1°(Ti、Zr、Hf),光吸收谱向高能端集中,说明在Cs2BI6中引入阴离子缺陷能够有效增强材料的导电率,并调节材料的颜色。并且通过电子态密度的计算分析了这种情况产生的原因。

关 键 词:双钙钛矿 第一性原理 电子结构 光吸收谱 

分 类 号:O469[理学—凝聚态物理] TB34[理学—电子物理学]

 

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